亿铸科技：28nm制程Re大算力芯片明年一季度投片

ReRAM(阻变存储器)是当下最有前景的新型非易失性存储介质之一，其器件结构简单，操作方式简捷，具有面积小、微缩化发展、高读写速度、低功耗、低成本，以及CMOS工艺兼容等特点。数据显示，ReRAM的读写速度是当前主流存储技术NAND的1000倍，同时功耗可以降低15倍。

当前多家知名半导体公司都在尝试布局ReRAM。松下在2013年开始出货ReRAM，成为了世界率先出货ReRAM的公司之一。2016年11月，富士通半导体开始销售其与松下共同开发的4兆字节(MB)ReRAM芯片。国内昕原半导体基于Metal Wire工艺，在ReRAM器件的设计和制造工艺已经实现了全国产化，公司也宣布已完成业界首款28nm制程ReRAM芯片流片。

此外，索尼、Adesto、Rambus、美光、东芝、三星、台积电、中芯国际等设计或制造厂商，也在以独立或合作开发的形式，向ReRAM的研究和普惠化商业应用发起冲击。

目前最早实现存算一体技术在商业化落地的是一家国外的公司，不过由于其选用了传统Flash存储介质，并且走的是模拟计算路线，比较适合对运算精度和算力要求不高的场景，但对于AI大算力这一场景来说，在精度和算力大小上，均存在较大的技术瓶颈。

因而使用新型存储介质，走数字化方向，才是当前工业界共识，既能做到模拟领域的优良能效比，又有数字领域的高可靠性。

熊大鹏介绍，亿铸基于ReRAM的AI芯片目前仍处于开发过程中，预计明年一季度实现投片。“从仿真结果以及工程样片的性能测试综合考虑来看，相比传统架构芯片，能效比得到了至少十倍以上的提升。”

熊大鹏表示，亿铸第一代存算一体商用大算力芯片将基于28nm工艺生产，其算力比肩7nm先进工艺制程的AI大算力芯片，在同等算力下可以实现十倍以上能效比。

另外，在此前海外国家对高性能GPU在国内禁售的风波后，国内企业也越来越意识到AI大算力芯片新架构、新材料的重要性。熊大鹏表示，相比传统AI芯片架构，亿铸科技基于ReRAM的存算一体AI大算力芯片不仅在能效比上具有优势，在算法部署的难度上也较传统架构的AI芯片大大降低。

在商业化落地方面，据熊大鹏介绍，由于芯片本身具有非常强的通用性，基于Chiplet进行设计，可以针对不同场景做不同封装。当前安防、互联网内容推荐，乃至自动驾驶等，都是显见的应用场景。